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氧化硅片的常用两种氧化方式介绍

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2020-09-30

        在氧气气氛中加热硅片是氧化硅表面最简单的方法。如果使用干氧,氧化物的生长速度很慢,而氧气和蒸汽的混合可以使氧化物的生长更快。如果硅晶圆在蒸汽流中加热,它可以生长得更快。众所周知,氧化硅片有三种常用的氧化方式,接下来就为大家介绍一下。
        1.干氧氧化。
        在高温下,当氧与硅接触时,通过化学反应在硅表面形成二氧化硅。一个氧分子可以形成二氧化硅分子。随着sio2层的形成,在氧和硅表面之间有一层sio2。氧和硅如何继续反应?很明显,氧必须通过现有的sio2层扩散,或者硅原子必须通过现有的sio2层扩散。sio2层的连续生长是通过氧扩散实现的。氧在sio2中的扩散是以离子的形式进行的。
        2.水汽氧化
        水蒸气的氧化需要两个水分子从一个硅原子形成一个siO分子,反应产物中含有氢。由于水汽氧化过程中SIO网络不断减弱,水分子在SIO中的扩散速度也更快。因此,水蒸气的氧化速率比干氧快。在干氧氧化中,决定氧化速率的基本过程是氧分子通过SIO层的扩散和硅表面的化学反应。种植时间短、SIO层薄时,表面化学反应过程占优势,SIO层厚度随时间线性增加;而当杨华事件较长且SIO层较厚时,扩散过程占优势,SIO层厚度随时间呈次抛物型增加。
         以上就是为大家介绍的氧化硅片的常用两种氧化方式,希望对大家有帮助,我是浙江众晶电子有限公司,如果大家还有什么疑问,可以随时与我们咨询。