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影响铌酸锂晶体生产工艺的因素

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2020-10-06

        近年来,铌酸锂晶体以其优良的电光效应和非线性光学效应,以及优良的电学和声光性能、高表面硬度、高质量的表面处理、低成本等优点而备受关注。因此被广泛应用于整个系统的存储器、压电、光电等器件的制备。铌酸锂晶体主要是通过坩埚中加热等工艺所得。影响铌酸锂晶体生产工艺因素有哪些?
        1.温度梯度
        通过大量实验数据得出,温度梯度是晶体生长的驱动力,包括轴向温度梯度和径向温度梯度。轴向温度梯度大,晶体容易生长,温度容易控制,但晶体内应力大,容易产生裂纹,轴向温度梯度小,可以降低内应力,避免开裂。然而,晶体的形状难以控制,容易出现组分过冷的情况发生。
        2.晶体生长速度
        在单位时间内,晶体生长面沿其法线方向的厚度即为晶体的生长速率,它包括机械上拉速度和液面下降速度两部分。选择合适的生长速率的另一个作用是消除晶体生长过程中的气泡。
        3.晶体旋转速度
        随着转速的增加,扩散层厚度也会随之减小,膜下温度梯度增大,有利于避免组分过冷和气泡的产生;旋转可以搅拌熔体产生强迫对流,增加温度场的径向对称性;生长过程中固液界面的平整度也影响晶体的质量,而转速是影响固液界面的重要因素。
        4.退火速率
        应当尽量降低退火速率,使热应力完全完放,避免晶体开裂。