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4英寸抛光片的生产工艺

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2020-10-06

        浙江众晶电子有限公司主要设备有单晶炉40台、金刚线多线切割机20台、SPEEDFAM单面抛光机和双面抛光机12台,产品包括8英寸太阳能片,2~6英寸单抛片,12英寸双抛再生片。年产太阳能3600万平方块,抛光试片1200万平方英寸,广泛应用于光电子元器件和大型集成电路。4英寸抛光片的生产工艺如何呢?
        1.在高温镓熔体中注入砷蒸气,形成砷化镓多晶熔体。采用HGF法去除多晶尾部和杂质浓度区的化学计量偏差,对剩余的多晶磨边和表面杂质进行腐蚀、清洗和干燥。
        2.掺碳VGF/VB法生长半绝缘GaAs单晶。
        3.砷化镓单晶放入热处理炉的石英管中,用石英盖密封。在惰性气体保护下,在12~48h内缓慢升温至850~1000℃,经24~72h恒温热处理后缓慢冷却至室温。
        4.查看半绝缘砷化镓单晶的性能是否合格。
        5.将4英寸GaAs单晶四舍五入到101±0.2mm。制作了一级和二级参考平面。将晶圆切割成700±10μm晶圆,并倒角至直径为100±0.2mm。
        6.采用CMP工艺对GaAs晶片进行粗化处理,并将4英寸GaAs晶片粗化至660±5μM。
        7.经过热处理后,采用CMP工艺对晶片表面进行抛光,厚度控制在625±25μM,首先用表面活性剂、Koh熔体和去离子水组成的清洗液清洗,然后用去离子水进行超声波清洗,最后干燥。
        8.在强光下,对砷化镓抛光片的表面质量进行了全面的检测。利用抛光片粒度测试仪测量了抛光片的表面粒径。缺陷的特征是吸附颗粒数大于0.m,缺陷大小为μm。要求4英寸砷化镓抛光片粒径小于40/片。