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抛光硅片厂家教你抛光硅片的化学原理

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2020-09-30

        铜离子抛光通常在酸性条件下进行。当pH值高于7时,反应停止。这是因为在pH7时,铜离子和氨分子形成稳定的络合物——铜氨络合物离子。此时,铜离子大大减少,抛光效果停止。抛光反应速度非常快。为防止腐蚀,取芯片时抛光液不应留在表面。水抛光应立即进行,或在使用前用稀硝酸冲洗,并可再次冲洗以防止铜离子污染。今天抛光硅片厂家带你详细了解抛光硅片的化学原理。
        铜离子抛光液由氯化铜、氟化铵和水组成,质量比为60∶26∶1000,调节后的酸碱度为5.8或质量比为80∶102.8∶1000。其化学反应原理是Si+2cucl 2+6nh 4f =(NH4)2[SIF 6]+4nh 4cl+2Cu。
         二氧化硅-氢氧化钠可以从三个方面来打磨。首先是将液态三氯氢硅或含氮四氯化硅加入氢氧化钠溶液中,将所得沉淀物放入母液中,然后轻轻倒出上述悬浮液,将pH值调节至9.5-11。二是二氧化硅颗粒是多晶硅制备或硅外延生长的尾气产生的。第三步制备工业硅粉和水,质量比为150∶1000,用氢氧化钠调节酸碱度至9.5-11。当抛光液的酸碱度在9.5-11的范围内时,如果酸碱度太低,抛光会很慢。如果pH值过高,会造成强烈腐蚀,硅片表面会出现腐蚀坑。
        铬离子抛光液的化学反应原理为:3Si+2cr2o72-+28h+=3si4++4cr3++14h2o,由水以及三氧化二铬、重铬酸铵按1:3:100的质量比组成。三氧化二铬不溶于水,可研磨硅表面。重铬酸铵能连续氧化腐蚀硅表面,并利用三氧化铬的机械研磨作用进行抛光。