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什么是氧化硅片?

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2020-09-30

        氧化硅片氧化的过程是指在硅片表面生长一层氧化层的过程。这层薄膜的作用是保护和钝化半导体表面,作为杂质选择性扩散的掩蔽层,作为电极引线和下面的硅器件之间的绝缘层,作为MOS电容器的介质层和MOS器件的栅极等。实现方法包括高温氧化,阳极氧化、化学气相沉积、溅射等。氧化不仅在硅表面生长,而且还延伸到硅片中。
        通常,45%的氧化层厚度形成在初始表面上,46%形成于初始表面以下。一般来说,氧化层的厚度可以小于500A,后者可以大于1000。氧化范围为700-1100℃,氧化层厚度与氧化层的生长成正比。
        常用的氧化方法是高温氧化。所以在这里,我们关注高温氧化。高温氧化是将硅衬底置于1000℃以上的高温下,注入氧化气体,使衬底表面的一层硅氧化成sio2。高温氧化可分为湿氧氧化、干氧氧化和水蒸气氧化。
        通过实践表明,干氧氧化速率较慢,但所得二氧化硅层质量较好,与光刻胶有良好的附着力。反之,水蒸气氧化则相反,使硅层质量变差,过多的水也会腐蚀硅。因此,水蒸气氧化很少单独使用。但是,如果在氧气中加入一定量的水蒸气,在一定程度上会在1的范围内,解决了氧化速率与氧气质量之间的矛盾,且不适合生长在较厚的氧化层。但湿氧氧化法所形成的SiO2层的质量不如干氧氧化法,容易造成硅表面杂质的重分布。