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我是氮化镓厂家!

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2021-03-09

        氮化镓是一种无机材料,化学式Gan,是氮和镓的化合物。它是一种具有直接能隙的半导体。自1990年以来,它已被广泛用于发光二极管。其结构类似于纤锌矿,硬度很高。氮化镓具有3.4ev的宽能隙,可用于大功率、高速光电器件。例如,氮化镓可用于紫外激光二极管,并且可以产生紫外(405nm)激光而不使用非线性二极管泵浦固体激光器。

        氮化镓不仅是一种非常稳定的化合物,而且是一种高熔点的硬质材料。氮化镓的熔点约为1700℃。氮化镓具有较高的电离度,是Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度最高的(0.5或0.43)。在大气压下,GaN晶体一般为六方纤锌矿结构。它有四个原子在一个细胞,大约一半大小的砷化镓。由于其硬度高,是一种很好的涂层保护材料。

        氮化镓在室温下不溶于水、酸和碱,但在热碱溶液中溶解很慢。NaOH、H2SO4和H3PO4对劣质氮化镓具有很快的腐蚀作用,可用于劣质氮化镓晶体的缺陷检测。氮化镓在高温下在HCl或H2气体中不稳定,在N2气体中最稳定。

        氮化镓材料具有发热率低、击穿电场大等优点,是高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着MBE技术在Gan材料应用中的发展和薄膜生长关键技术的突破,各种Gan异质结构已经成功生长。用Gan材料制备了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂AlGaN/GaN结构具有高电子迁移率(2000cm2/V·s)、高饱和速率(1×107cm/s)和低介电常数,是微波器件的首选材料。氮化镓和蓝宝石衬底的宽禁带(3.4ev)具有良好的散热性能,有利于器件在高功率条件下工作。