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氧化硅片的应用

编辑:浙江众晶电子有限公司时间:2021-05-10

氧化硅片是在高温(800℃)条件下,用氧气或水蒸气在硅片表面生长的二氧化硅薄膜℃ ~ 1150℃) 通过常压炉管设备采用热氧化工艺。加工厚度在50纳米到2纳米之间μ m、 工艺温度高达1100℃℃. 生长方式分为“湿氧”和“干氧”。热氧化层是一种“生长”形成的氧化层。与CVD氧化层相比,具有更高的均匀性、更高的致密性、更高的介电强度和更好的质量。

氧化硅片的应用:

1、离子注入阻挡层。二氧化硅在杂质扩散中起掩蔽作用。在集成电路制造中,二氧化硅薄膜中硼、磷、砷等一些常见杂质的扩散比硅中的要慢得多。因此,在制作半导体器件的各个区域(如晶体管的源漏区)时,最常用的方法是先在硅片表面生长一层氧化膜,然后经过光刻和显影,将待掺杂区域表面的氧化膜刻蚀掉,从而形成掺杂窗口,最后通过窗口选择性地将杂质注入相应的区域。

2、栅氧化层。在金属氧化物半导体/互补金属氧化物半导体集成电路的制造过程中,二氧化硅通常被用作金属氧化物半导体晶体管的绝缘栅介质,即栅氧化层。

3、媒体隔离。集成电路制造中的隔离方法包括PN结隔离和介质隔离,其中通常选择二氧化硅氧化膜作为介质隔离。比如CMOS工艺中的场氧(用来隔离PMOS和NMOS晶体管)就是二氧化硅薄膜,用来隔离PMOS和NMOS晶体管的有源区。

4、绝缘介质。二氧化硅是一种良好的绝缘体,因此它可以作为多层金属布线结构的上下层金属之间的绝缘介质,防止金属之间的短路。

5、金属打线测试。